Канал -IGBT + diode/IGBT
Корпус -TO-3P
Макс. напруга drain-source (Uds), В -650
Макс. напруга gate-source (Ugs), В -20
Макс. імпульсний струм drain (Id), А -180
Макс. потужність, що розсіюється (Pd), Вт -600
Макс. температура каналу (Tj), °C -175
Вихідна ємність (Cd), pF -270
Час наростання типовий (tr), nS -47
Макс. постійний струм drain (Id), А -60
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Тип транзистора | Польовий |
| Виробник | PD |
Інформація для замовлення
- Ціна: 99 ₴



