Канал -IGBT + diode/IGBT
Корпус -TO-3P
Макс. напруга drain-source (Uds), В -650
Макс. напруга gate-source (Ugs), В -20
Макс. импульсный ток drain (Id), А -180
Макс. рассеиваемая мощность (Pd), Вт -600
Макс. температура каналу (Tj), °C -175
Выходная емкость (Cd), pF -270
Время нарастания типичное (tr), nS -47
Макс. постоянный ток drain (Id), А -60
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Тип транзистора | Полевой |
| Производитель | PD |
Информация для заказа
- Цена: 99 ₴



